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5G時代最重要的半導體材料:碳化硅
進入 5G 世代,5G 產(chǎn)品大多具備高功率、高壓、高溫等特性,傳統(tǒng)的硅 (Si) 原料因無法克服在高壓、高頻中的損耗,所以已無法滿足新世代的科技需求,這使得碳化硅 (SiC) 開始嶄露頭角。 而利用 SiC 制作出的電子零組件相對于 Si 的優(yōu)勢主要來自三個方面: 降低電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗、更容易實現(xiàn)小型化、更耐高溫高壓。根據(jù) Yole Développement 報告指
2020-01-08 pan