首先，碳化硅器件在高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)景表現(xiàn)出色。SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中沒(méi)有拖尾電流，降低了開(kāi)關(guān)損耗，從而減小了散熱器體積，提高了整體效率。

我們從一些成功案例看到，使用SiC技術(shù)可以將轉(zhuǎn)換效率從96%提升至99%以上，能量損耗降低50%以上。

其次，碳化硅的導(dǎo)通電阻低，有助于減小器件尺寸，同時(shí)保持高電流和電壓容量，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。通常來(lái)說(shuō)，SiC MOSFET的尺寸僅為硅基MOSFET的1/10，這使得碳化硅器件在光儲(chǔ)逆變器系統(tǒng)中的集成度與可靠性得到顯著提升，進(jìn)而減少系統(tǒng)的體積和重量，提升功率密度。

研究表明，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，預(yù)計(jì)到2025年逆變器功率密度將提升50%以上。

另外，碳化硅器件的高溫、高頻特性允許設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)化的電路拓?fù)?，減少所需的無(wú)源器件數(shù)量，如電感、電容等，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)，SiC器件的高溫工作能力減少了對(duì)復(fù)雜冷卻系統(tǒng)的需求，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

有數(shù)據(jù)表明，使用碳化硅的光儲(chǔ)逆變器可以比硅基逆變器輕3-10倍，從而有效降低了安裝的系統(tǒng)成本。

碳化硅以上的顯著優(yōu)勢(shì)使其在高壓光伏系統(tǒng)中的應(yīng)用尤為突出。在當(dāng)前主流的1500V-2000V光伏系統(tǒng)中，采用碳化硅器件不僅能夠支持更高的電壓水平，還能有效減少系統(tǒng)內(nèi)的電流，進(jìn)而顯著降低線路損耗及整體系統(tǒng)成本。

因此，盡管碳化硅器件的初始成本較高，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，其卓越的效率和可靠性將帶來(lái)更高的回報(bào)，同時(shí)減少維護(hù)及更換的頻率和成本，這樣在整個(gè)光儲(chǔ)系統(tǒng)的生命周期內(nèi)能夠有效降低綜合成本，實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益的最大化。