“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。碳化硅材料實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，將打破國外壟斷，推動(dòng)國內(nèi)5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升

雖然學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界很早認(rèn)識(shí)到碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅材料的優(yōu)點(diǎn)，但是由于制造設(shè)備、制造工藝與成本的劣勢，多年來只是在小范圍內(nèi)得到應(yīng)用，無法挑戰(zhàn)Si基器件的統(tǒng)治地位，但是隨著5G 、汽車等新市場出現(xiàn)，制備技術(shù)的進(jìn)步，需求拉動(dòng)疊加成本降低，碳化硅時(shí)代即將迎來。

SiC生產(chǎn)過程分為SiC單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組三大環(huán)節(jié)。

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢。其中美國全球獨(dú)大，全球SiC產(chǎn)量的70%~80%來自美國公司，典型公司是科銳、道康寧、SiCrystal、昭和電工等;歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，典型公司是英飛凌、意法半導(dǎo)體等;日本是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的領(lǐng)先者，典型公司是羅姆半導(dǎo)體、三菱電機(jī)、富士電機(jī)等

華為近期通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司，占股10%，后者是一家以碳化硅為主的半導(dǎo)體材料公司，此舉顯示華為正在布局新一代半導(dǎo)體技術(shù)。

三安光電披露定增預(yù)案，擬募資不超過70億元，其中，先導(dǎo)高芯擬認(rèn)購50億元，格力電器擬認(rèn)購20億元。格力電器表示，投資三安光電有助于業(yè)務(wù)板塊打入半導(dǎo)體制造行業(yè)。

由于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全球來看仍處于起步階段，國內(nèi)企業(yè)更是大部分處于早期研發(fā)階段，遠(yuǎn)未成熟，行業(yè)體量較小，重點(diǎn)關(guān)注已經(jīng)在碳化硅研發(fā)上投入大量資源并且取得一定成果的公司，建議關(guān)注寧夏天凈隆鼎碳化硅。